퇴적 챔버 내에서 기상으로부터 에피택셜층이 퇴적되는 반도체 웨이퍼를 제조하는 공정

• Main Author: STETTNER THOMAS
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 08.12.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

퇴적 챔버 내에서 기상으로부터 에피택셜층이 퇴적되는 반도체 웨이퍼를 제조하는 공정으로서, 이 공정은 기판 웨이퍼를 로봇에 의해 원형 둘레를 갖는 서셉터 상에 배치시키는 단계 - 로봇은 기판 웨이퍼를 배치 위치로 이동시키고 이를 서셉터 상에 위치시키며, 교정 지침에 의해 배치 위치에서 기판 웨이퍼의 중심이 서셉터의 중심 위에 놓이지 않게 됨 - ; 및 기판 웨이퍼 상에 에피택셜층을 퇴적시키는 단계 - 제1 범위 내에 속하는 고유 저항을 갖는 제1 개수의 기판 웨이퍼가 제1 교정 지침에 따라 로봇에 의해 배치 위치로 이동되고, 제2 범위 내에 속하는 고유 저항을 갖는 제2 개수의 기판 웨이퍼가 제2 교정 지침에 따라 로봇에 의해 배치 위치로 이동되며, 제1 및 제2 교정 지침은 서로 상이함 - ; 를 포함한다. A process produces semiconductor wafers with epitaxial layer deposited from a gas phase in a deposition chamber. The process includes placing a substrate wafer on a susceptor with circular perimeter by a robot that moves the substrate wafer into a placement position and places it on the susceptor with a corrective precept causing a center of the substrate wafer not to lie above a center of the susceptor; and depositing the epitaxial layer on the substrate wafer. A first number of substrate wafers having a specific resistance which falls within a first range are moved into the placement position with a first corrective precept, and a second number of substrate wafers having a specific resistance which falls within a second range are moved by the robot with a second corrective precept, differs from the first corrective precept.