Fixing rings for semiconductor wafer etching

반도체 웨이퍼 식각용 프로세스 키트를 개시한다. 상기 반도체 웨이퍼 식각용 프로세스 키트는 일측면이 개구되 며, 상기 일측면으로 인입되는 마스크를 수용하기 위한 인입홈이 표면상에 형성된 리시브 플레이트(100); 상부면 에 상기 리시브 플레이트(100)의 두께과 동일한 두께의 홀딩부(210)가 돌출되고, 표면에 적어도 하나 이상의 관 통홀(220)이 형성된 베이스 플레이트(200); 및 상기 베이스 플레이트(200)의 표면에 형성된 관통홀(220)을 관통 하여 상기 리시브 플레이트(100)의 바닥면과 결속되는 적어도 하나 이상의 리...

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Main Author LIM, CHUN YOUNG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.12.2023
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:반도체 웨이퍼 식각용 프로세스 키트를 개시한다. 상기 반도체 웨이퍼 식각용 프로세스 키트는 일측면이 개구되 며, 상기 일측면으로 인입되는 마스크를 수용하기 위한 인입홈이 표면상에 형성된 리시브 플레이트(100); 상부면 에 상기 리시브 플레이트(100)의 두께과 동일한 두께의 홀딩부(210)가 돌출되고, 표면에 적어도 하나 이상의 관 통홀(220)이 형성된 베이스 플레이트(200); 및 상기 베이스 플레이트(200)의 표면에 형성된 관통홀(220)을 관통 하여 상기 리시브 플레이트(100)의 바닥면과 결속되는 적어도 하나 이상의 리프팅바(300)를 포함하고, 상기 리프 팅바(300)는 상기 리시브 플레이트(100)를 승하강시켜, 상기 베이스 플레이트(200)와 접촉 또는 탈착시키며, 상 기 리시브 플레이트(100)가 상기 베이스 플레이트(200)와 접촉될 경우, 사각형의 중공이 형성되는 것을 특징으로 한다.
Bibliography:Application Number: KR20220066548