SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: OKAZAKI KENICHI, SHIMA YUKINORI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.12.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

전기 특성이 양호한 반도체 장치를 제공한다. 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공한다. 제 1 트랜지스터와, 제 2 트랜지스터와, 제 1 절연층과, 제 2 절연층을 가지는 반도체 장치로 한다. 제 1 트랜지스터는 제 1 반도체층과, 제 1 게이트 절연층과, 제 1 게이트 전극을 가진다. 제 1 반도체층은 금속 산화물을 가진다. 제 2 트랜지스터는 제 2 반도체층과, 제 2 게이트 절연층과, 제 2 게이트 전극을 가진다. 제 2 반도체층은 결정성 실리콘을 가진다. 제 1 절연층은 제 2 절연층을 개재(介在)하여 제 1 트랜지스터와 중첩되는 영역을 가진다. 제 2 절연층은 제 1 절연층을 개재하여 제 2 트랜지스터와 중첩되는 영역을 가진다. 제 2 절연층은 제 1 절연층보다 막 밀도가 높다. A semiconductor device having favorable electrical characteristics is provided. A highly reliable semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a first transistor, a second transistor, a first insulating layer, and a second insulating layer. The first transistor includes a first semiconductor layer, a first gate insulating layer, and a first gate electrode. The first semiconductor layer includes a metal oxide. The second transistor includes a second semiconductor layer, a second gate insulating layer, and a second gate electrode. The second semiconductor layer includes crystalline silicon. The first insulating layer includes a region overlapping with the first transistor with the second insulating layer therebetween. The second insulating layer includes a region overlapping with the second transistor with the first insulating layer therebetween. The second insulating layer has higher film density than the first insulating layer.