MATHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: CHUNG SANG GYO, LEE CHAN MI, HONG JUNG PYO, HAN SEUNG HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 30.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 소자의 제조 방법으로, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판 상에 마스크막, 버퍼막 및 제1 멘드럴막을 순차적으로 적층한다. 상기 제1 멘드럴막을 패터닝하여, 상기 제1 영역의 버퍼막 상에 라인 형상을 가지면서 연장되는 제1 멘드럴 패턴들 및 상기 제2 영역의 버퍼막을 덮는 제2 멘드럴 패턴을 각각 형성한다. 상기 버퍼막 상에 상기 제1 멘드럴 패턴들 및 제2 멘드럴 패턴 측벽과 접하는 제1 스페이서를 형성한다. 상기 제1 멘드럴 패턴들을 제거한다. 상기 제1 스페이서 및 제2 멘드럴 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 버퍼막 및 상기 마스크막의 일부를 식각하여, 상기 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판 상에 버퍼막 패턴 및 예비 마스크 패턴을 형성한다. 상기 제2 멘드럴 패턴을 제거한다. 그리고, 상기 버퍼막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 예비 마스크 패턴을 식각하여 마스크 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 버퍼막은 상기 마스크막보다 낮은 전기 전도도를 가지고, 상기 마스크막과 식각 선택비를 가지는 물질을 포함한다. Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, in which a mask layer, a buffer layer, and a first mandrel layer are sequentially stacked on a substrate including a first region and a second region. First mandrel patterns are formed on the buffer layer in the first region, and a second mandrel pattern covering the buffer layer in the second region is formed. A first spacer contacting side walls of the first mandrel pattern and the second mandrel pattern is formed on the buffer layer. The first mandrel patterns are removed. A buffer layer pattern and a preliminary mask pattern are formed on the substrate. The second mandrel pattern is removed. In addition, a mask pattern is formed. The buffer layer includes a material having lower electrical conductivity than the mask layer and having etching selectivity with respect to the mask layer.