SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Author: YUN JONG MIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.11.2023
• Subjects: ELECTRICITY

반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는 제1 배선; 상기 제1 배선 상에 상기 제1 배선과 이격하여 배치되는 제2 배선; 상기 제1 배선과 상기 제2 배선 사이에 배치되는 가변 저항층; 및 상기 제1 배선과 상기 가변 저항층 사이, 또는 상기 가변 저항층과 제2 배선 사이 중 적어도 어느 한 곳에 배치되고, 두께에 따라 다른 저항을 나타내는 금속-절연체 전이(Thickness Dependent Metal-Insulator Transition, 'TDMIT') 물질을 포함하는 전극층을 포함할 수 있다. An semiconductor device may include a first conductive line; a second conductive line disposed to be spaced apart from the first conductive line; a variable resistance layer disposed between the first conductive line and the second conductive line; and an electrode layer which is disposed at least one of a first location between the first conductive lines and the variable resistance layer, or a second location between the variable resistance layer and the second conductive lines and includes a thickness dependent metal-insulator transition (TDMIT) material that exhibits an electrical resistance depending on a thickness of the TDMIT material.