CMOS STACKED CMOS IMAGE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
본 개시 내용의 다양한 실시예는 높은 풀 웰 용량(full well capacity; FWC)을 갖는 적층형 상보성 금속 산화물 반도체(stacked complementary metal-oxide semiconductor; CMOS) 이미지 센서에 관한 것이다. 제1 집적 회로(integrated circuit; IC) 칩과 제2 집적 회로(IC) 칩이 서로 적층된다. 제1 IC 칩은 제1 반도체 기판을 포함하고, 제2 IC 칩은 제2 반도체 기판을 포함한다. 픽셀 센서가 제1 IC 칩 및 제2 IC 칩 내에 있고 이들에 걸쳐 있다...
Saved in:
Main Authors | , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
24.11.2023
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Be the first to leave a comment!