감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법
차세대 기술을 적용한 경우에도, 감도나 CDU 성능을 충분한 레벨로 갖는 레지스트막을 형성 가능한 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 수지와, 유기산 음이온 부분과 오늄 양이온 부분을 포함하는 1종 또는 2종 이상의 오늄염과, 용제를 함유하고, 상기 오늄염에 있어서의 적어도 일부의 상기 유기산 음이온 부분이 요오드 치환 방향환 구조를 포함하는, 감방사선성 수지 조성물. TIFFpct00058.tif7441 (상기 식 (1)에 있어서, R은 수소 원자, 탄소수 1 내...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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17.11.2023
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Summary: | 차세대 기술을 적용한 경우에도, 감도나 CDU 성능을 충분한 레벨로 갖는 레지스트막을 형성 가능한 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 구조 단위를 포함하는 수지와, 유기산 음이온 부분과 오늄 양이온 부분을 포함하는 1종 또는 2종 이상의 오늄염과, 용제를 함유하고, 상기 오늄염에 있어서의 적어도 일부의 상기 유기산 음이온 부분이 요오드 치환 방향환 구조를 포함하는, 감방사선성 수지 조성물. TIFFpct00058.tif7441 (상기 식 (1)에 있어서, R은 수소 원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 5의 할로겐화 알킬기이며, Y1은 2가의 연결기이며, X1은 산 해리성 기이다. n은 0 또는 1이다.)
A radiation-sensitive resin composition includes: a resin including a structural unit represented by formula (1); at least one onium salt each including an organic acid anion moiety and an onium cation moiety; and a solvent. At least part of the organic acid anion moiety in the at least one onium salt includes an iodine-substituted aromatic ring structure. R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Y1 is a divalent linking group, and X1 is an acid-dissociable group, and n is 0 or 1. When n is 0, X1 is represented by formula (s1) or (s2). |
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Bibliography: | Application Number: KR20237024720 |