두 개의 탄화규소층의 동시 성장

• Main Authors: ALASSAAD KASSEM, DONG LIN, EKMAN JOHAN PETER
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.11.2023
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

각각의 제1 및 제2 기판 상에 제1 및 제2 에피택셜 단결정층을 동시에 생성하기 위한 시스템(100)이 제공되며, 제1 소스 재료 및 제1 기판을 수용하기 위한 제1 캐비티를 한정하는 제1 내부 용기(3), 제2 소스 재료 및 제2 기판을 수용하기 위한 제2 캐비티를 한정하는 제2 내부 용기(4), 내부에 제1 및 제2 내부 용기(3, 4)를 수용하도록 배치된 절연 용기(6), 내부에 절연 용기(6)와 제1 및 제2 내부 용기(3, 4)를 수용하도록 배치된 외부 용기(7), 및 외부 용기(7)의 외부에 배치되고 제1 및 제2 캐비티를 동시에 가열하도록 구성된 가열 수단(8)을 포함한다. Provided is a system (100) for simultaneously producing a first and a second epitaxial monocrystalline layer on a respective first and second substrate, comprising a first inner container (3) defining a first cavity for accommodating a first source material and the first substrate, a second inner container (4) defining a second cavity for accommodating a second source material and the second substrate, an insulation container (6) arranged to accommodate the first and second inner containers (3, 4) therein, an outer container (7) arranged to accommodate the insulation container (6) and the first and second inner containers (3, 4) therein and heating means (8) arranged outside the outer container (7) and configured to heat the first and second cavities simultaneously.