필름 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 패키지의 제조방법
기재와 대전 방지층을 적어도 구비하고, 25 ℃ 에서 300 % 의 1 축 연신 후에 테이프 박리 시험을 실시했을 때의 박리 면적의 비율이 5 % 미만이거나 ; 25 ℃ 에서 300 % 의 1 축 연신 후에 닦아내기 시험을 실시했을 때에 식 (H2-H1) ≥ 0 (H1 은 닦아내기 전의 헤이즈, H2 는 닦아내기 후의 헤이즈를 나타낸다) 을 만족하거나 ; 또는 X 선 광전자 분광법에 의한 상기 기재의 대전 방지층측의 표면 화학 조성 분석에 있어서 O/C 가 0.010 ∼ 0.200 의 범위이거나 N/F 가 0.010 ∼ 0.100...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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02.11.2023
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Summary: | 기재와 대전 방지층을 적어도 구비하고, 25 ℃ 에서 300 % 의 1 축 연신 후에 테이프 박리 시험을 실시했을 때의 박리 면적의 비율이 5 % 미만이거나 ; 25 ℃ 에서 300 % 의 1 축 연신 후에 닦아내기 시험을 실시했을 때에 식 (H2-H1) ≥ 0 (H1 은 닦아내기 전의 헤이즈, H2 는 닦아내기 후의 헤이즈를 나타낸다) 을 만족하거나 ; 또는 X 선 광전자 분광법에 의한 상기 기재의 대전 방지층측의 표면 화학 조성 분석에 있어서 O/C 가 0.010 ∼ 0.200 의 범위이거나 N/F 가 0.010 ∼ 0.100 의 범위인, 필름, 상기 필름의 제조 방법, 및 상기 필름을 이용한 반도체 패키지의 제조 방법.
The present invention relates to a film including at least a substrate and an antistatic layer, in which a ratio of a peeled area when a tape peeling test is performed under the following conditions after 300% uniaxial stretching at 25° C. is less than 5%, the tape peeling test is that: Cellotape® is pressure-bonded to a surface of the film on an antistatic layer side using a roller through 5 reciprocations with a load of 4 kg, and the Cellotape® is peeled off at a speed of 100 m/min in a direction of 180° with respect to the film within 5 minutes, thereby obtaining a ratio of a peeled area of the film to an area of an adhesive portion of the Cellotape®. |
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Bibliography: | Application Number: KR20237027458 |