CHEMICAL DEPOSITION CHAMBER HAVING GAS SEAL

• Main Authors: CHANDRASEKHARAN RAMESH, TUCKER JEREMY, SANGPLUNG SAANGRUT
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

화학적 분리 챔버 내에 형성된 화학적 증착 챔버를 갖는 화학적 증착 장치는 가스 시일링을 포함한다. 화학적 증착 챔버는 반도체 기판을 프로세싱하기 위해 웨이퍼 캐비티로 반응기 화학물질들을 전달하기 위한 가스 유입부들을 갖는 대면 플레이트를 갖는 샤워헤드 모듈을 포함한다. 샤워헤드 모듈은 웨이퍼 캐비티로부터 반응 가스 화학물질들 및 불활성 가스들을 제거하기 위한 1차 배기 가스 유출부들을 포함한다. 불활성 가스 피드부는 가스 시일링을 형성하기 위해 적어도 부분적으로 샤워헤드 모듈의 단차와 페데스탈 모듈 사이의 갭을 통해 방사상 내측으로 흐르는 시일링 가스를 전달한다. 2차 배기 가스 유출부들은 큰 페클릿 수 (Peclet number) 를 제공하도록 갭을 통해 흐르는 적어도 일부 불활성 가스를 인출한다. A chemical deposition apparatus having a chemical deposition chamber formed within the chemical isolation chamber includes a gas seal. The chemical deposition chamber includes a showerhead module having a faceplate with gas inlets to deliver reactor chemistries to a wafer cavity for processing a semiconductor substrate. The showerhead module includes primary exhaust gas outlets to remove reaction gas chemistries and inert gases from the wafer cavity. An inert gas feed delivers seal gas which flows radially inwardly at least partly through a gap between a step of the showerhead module and the pedestal module to form a gas seal. Secondary exhaust gas outlets withdraw at least some of the inert gas flowing through the gap to provide a high Peclet number.