RMG 3D 3D-stacked semiconductor device including gate structure with RMG inner spacer protecting lower work-function metal layer

• Main Authors: BAEK JAEJIK, HONG BYOUNG HAK, JO GUNHO, YUN SEUNGCHAN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 02.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

하부 게이트 유전층, 하부 일함수 금속층, 및 하부 게이트 금속 패턴을 포함하는 하부 게이트 구조물과 상기 하부 게이트 구조물에 의해 둘러싸이는 하부 채널 구조물을 포함하는 하부 전계 효과 트랜지스터; 및 상부 게이트 유전층, 상부 일함수 금속층, 및 상부 게이트 금속 패턴을 포함하는 상부 게이트 구조물과 상기 상부 게이트 구조물에 의해 둘러싸이는 상부 채널 구조물을 포함하는 상부 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 다중-스택 반도체 장치를 제공하되, 상기 상부 채널 구조물의 채널 폭은 상기 하부 채널 구조물의 채널 폭보다 작으며, 상...