막 증착을 위한 펄스식 DC 전력

• Main Authors: SANGLE ABHIJEET LAXMAN, SHARMA VIJAY BHAN, SIVARAMAKRISHNAN VISWESWAREN, PATIL NILESH
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 01.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

기상 증착 시스템 및 그 동작의 방법들이 개시된다. 기상 증착 시스템은 진공 챔버; 진공 챔버 내의 유전체 타깃 - 유전체 타깃은 전방 표면 및 두께를 가짐 - ; 진공 챔버 내의 기판 지지체 - 기판 지지체는 유전체 타깃의 전방 표면으로부터 이격되어 프로세스 갭을 형성하는 전방 표면을 가짐 - ; 및 진공 챔버에서 플라즈마를 생성하기 위해 유전체 타깃에 연결되는 신호 생성기 - 신호 생성기는 전력 소스를 포함하고, 전력 소스는 유전체 타깃에서 전하 축적을 방지하도록 구성됨 - 를 포함한다. 방법은 유전체 타깃과 기판 지지체 사이의 프로세스 갭에서 플라즈마를 생성하기 위해 진공 챔버 내의 유전체 타깃에 전력을 인가하는 것, 및 전하 축적을 방지하기 위해 유전체 타깃에 인가되는 전력을 펄스화하는 것을 포함한다. A vapor deposition system and methods of operation thereof are disclosed. The vapor deposition system includes a vacuum chamber; a dielectric target within the vacuum chamber, the dielectric target having a front surface and a thickness; a substrate support within the vacuum chamber, the substrate support having a front surface spaced from the front surface of the dielectric target to form a process gap; and a signal generator connected to the dielectric target to generate a plasma in the vacuum chamber, the signal generator comprises a power source, the power source configured to prevent charge accumulation in the dielectric target. The method includes applying power to a dielectric target within a vacuum chamber to generate a plasma in a process gap between the dielectric target and a substrate support and pulsing the power applied to the dielectric target to prevent charge accumulation.