GATES OF HYBRID-FIN DEVICES

• Main Authors: LEE YI JUEI, LI CHENG TANG, WU BI FEN, CHANG HUANG CHAO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

예시적인 방법은 단일 핀 활성 영역 및 다중 핀 활성 영역 위에 배치된 게이트를 포함하는 하이브리드 핀 디바이스를 위한 하이브리드 핀 디바이스 레이아웃을 수신하는 단계를 포함한다. 단일 핀 활성 영역 및 다중 핀 활성 영역은 제1 방향을 따라 길게 연장된다. 게이트는 제2 방향을 따라 길게 연장되고, 제2 방향은 제1 방향과는 상이하고, 게이트는 제1 방향을 따라 폭을 가진다. 단일 핀 활성 영역 및 게이트의 제1 부분은 제1 전기적 특성을 갖는 제1 핀 기반 디바이스를 형성한다. 다중 핀 활성 영역 및 게이트의 제2 부분은 제1 전기적 특성과는 상이한 제2 전기적 특성을 갖는 제2 핀 기반 디바이스를 형성한다. 방법은 제1 전기적 특성과 제2 전기적 특성 사이의 차이를 감소시키기 위해 게이트의 폭을 튜닝하는 단계를 더 포함한다. An exemplary method includes receiving a hybrid fin device layout for a hybrid fin device that includes a gate disposed over a single-fin active region and a multi-fin active region. The single-fin active region and the multi-fin active region extend lengthwise along a first direction. The gate extends lengthwise along a second direction, the second direction is different than the first direction, and the gate has a width along the first direction. The single-fin active region and a first portion of the gate form a first fin-based device having a first electrical characteristic. The multi-fin active region and a second portion of the gate form a second fin-based device having a second electrical characteristic that is different than the first electrical characteristic. The method further includes tuning the width of the gate to reduce a difference between the first electrical characteristic and the second electrical characteristic.