SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: CHOI SUNGHA, PARK JUHYUK, KIM KIHUN, YONG SANGHEON, KIM HONGSUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

갭필 공정을 포함하는 기판 처리 방법이 개시된다. 상기 방법은 표면에 갭이 형성된 기판을 반응 공간 내에 제공하는 단계, 상기 반응 공간 내에 저중합체 실리콘 전구체 및 질소 함유 기체를 공급하는 단계, 상기 반응 공간 내를 플라즈마 상태로 유지하면서, 상기 기판의 상기 갭의 적어도 일부를 충전할 수 있도록 상기 기판 상에 유동성을 갖는 실리콘 나이트라이드막을 형성하는 단계, 및 상기 실리콘 나이트라이드막을 치밀화하는 단계를 포함한다. A substrate processing method comprising a gap-fill process is disclosed. The method includes providing a substrate in which a gap is formed in a surface thereof to a reaction space, supplying an oligomeric silicon precursor and a nitrogen-containing gas to the reaction space, forming a silicon nitride film having flowability on the substrate to fill at least a portion of the gap of the substrate while maintaining the reaction space in a plasma state, and densifying the silicon nitride film.