Gas injection apparatus and substrate processing equipment using the same

• Main Authors: KIM SANG YEOP, CHEON MIN HO, LEE BAEK JU, SEO DONG WON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.10.2023
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention relates to a gas injection apparatus capable of selectively changing the deposition thickness of a substrate. The gas injection apparatus used for a substrate processing device comprises: a supply duct which gas supplied from a processing gas supply source flows into; an injection nozzle having multiple injection hole arrays for injecting the gas flowing inside to the substrate; and a rotation guider arranged to be adjacent between the supply duct and injection nozzle and having a guide hole selectively guiding the gas supplied and flowing inside to the multiple injection hole arrays. The guide hole is arranged with a first injection hole array among the multiple injection hole arrays according to a rotation angle of the rotation guider. Therefore, the gas flowing inside is selectively supplied to the first injection hole array. Accordingly, the gas flowing inside by the first injection hole array is injected to the upper side of the substrate. 기판 처리 장비에 사용되는 가스 분사 장치는, 공정 가스 공급원으로부터 공급된 가스가 유입되는 공급 덕트와, 상기 유입된 가스를 기판 상으로 분사하기 위한 복수의 분사공 어레이를 갖는 분사 노즐과, 상기 공급 덕트와 상기 분사 노즐 사이에 인접하여 배치되고, 상기 공급 유입된 가스를 상기 복수의 분사공 어레이로 선택적으로 안내하는 가이드 공을 갖는 회전 가이더로 이루어진다. 이 때, 상기 가이드 공은 상기 회전 가이더의 회전 각도에 따라 상기 복수의 분사공 어레이 중에서 제1 분사공 어레이와 정렬됨으로써, 상기 유입된 가스가 상기 제1 분사공 어레이로 선택적으로 공급되며, 이에 따라 상기 제1 분사공 어레이에 의해 상기 유입된 가스가 기판 상으로 분사된다.