조성물, 기판의 처리 방법
본 발명은, Ru 함유물과 접촉시켜 Ru 함유물을 에칭 처리할 때에, 잔사가 적은 조성물을 제공하는 것, 및, 기판의 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 조성물은, 과아이오딘산 및 그 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 과아이오딘산 화합물과, 식 (A)로 나타나는 제4급 암모늄염과, 트라이알킬아민 또는 그 염을 포함한다. JPEGpct00017.jpg5257 The present invention addresses the problem of providing: a composition having a...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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11.10.2023
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Summary: | 본 발명은, Ru 함유물과 접촉시켜 Ru 함유물을 에칭 처리할 때에, 잔사가 적은 조성물을 제공하는 것, 및, 기판의 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 조성물은, 과아이오딘산 및 그 염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 과아이오딘산 화합물과, 식 (A)로 나타나는 제4급 암모늄염과, 트라이알킬아민 또는 그 염을 포함한다. JPEGpct00017.jpg5257
The present invention addresses the problem of providing: a composition having a low amount of residue when etching a Ru-containing material by bringing the composition into contact with the Ru-containing material; and a method for treating a substrate. A composition according to the present invention comprises: at least one periodic acid compound selected from the group consisting of a periodic acid, and a salt thereof; a quaternary ammonium salt represented by formula (A); and a trialkylamine or a salt thereof. |
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Bibliography: | Application Number: KR20237031438 |