PROCESS MONITORING SYSTEM FOR PLASMA APPARATUS
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 장치용 공정 모니터링 시스템은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 장치에서 방출되는 방출 신호 중 투과 광신호 및 투과 배경신호를 검출하는 광 센서 어레이; 그리고 상기 광 센서 어레이에 연결되며, 상기 투과 광신호와 상기 투과 배경신호를 연산하여 상기 투과 광신호의 세기만을 측정하는 신호 처리부를 포함한다. A process monitoring system for a plasma device, according to an embodiment of the present invention, compri...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
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11.10.2023
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Summary: | 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 장치용 공정 모니터링 시스템은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 장치에서 방출되는 방출 신호 중 투과 광신호 및 투과 배경신호를 검출하는 광 센서 어레이; 그리고 상기 광 센서 어레이에 연결되며, 상기 투과 광신호와 상기 투과 배경신호를 연산하여 상기 투과 광신호의 세기만을 측정하는 신호 처리부를 포함한다.
A process monitoring system for a plasma device, according to an embodiment of the present invention, comprises: a photosensor array which detects a transmitted light signal and a transmitted background signal from an emitted light signal, emitted from a plasma device generating plasma, and a background signal, respectively; and a signal processing unit which is connected to the photosensor array and measures only the intensity of a pure emitted light signal through an arithmetic operation between the transmitted light signal and the transmitted background signal. |
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Bibliography: | Application Number: KR20220041282 |