STRUCTURE AND METHOD FOR BACKSIDE-ILLUMINATED IMAGE DEVICE

• Main Authors: YAUNG DUN NIAN, YANG HAO LIN, WANG CHING CHUN, WANG CHEN JONG, WANG TZU JUI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An image sensor structure comprises: a first substrate having a front surface and a rear surface; a photodetector disposed on the front surface of the first substrate and spanning a dimension (Dp) along a first direction; a gate electrode formed on the front surface of the first substrate and partially overlapping the photodetector; a doped region as a floating diffusion region formed on the front surface of the first substrate and disposed next to the photodetector; and an interconnect structure disposed on the front surface of the first substrate and overlying the gate electrode. The interconnect structure comprises: a first metal layer; and a second metal layer over the first metal layer. The second metal layer further comprises: a first metal feature; and a second metal feature spaced apart by a distance (Ds) along the first direction. The first metal feature is electrically connected to the doped feature and a first ratio (Ds/Dp) is greater than 0.3. 이미지 센서 구조는 전면 및 후면을 갖는 제1 기판; 제1 기판의 전면에 배치되고 제1 방향을 따라 치수(Dp)에 걸쳐 있는 광검출기; 제1 기판의 전면에 형성되고 부분적으로 광검출기와 중첩되는 게이트 전극; 제1 기판의 전면에 형성되고 광검출기 옆에 배치되는 플로팅 확산 영역으로서의 도핑된 영역; 및 제1 기판의 전면 상에 배치되고 게이트 전극 위에 놓이는 인터커넥트 구조를 포함한다. 인터커넥트 구조는 제1 금속층 및 제1 금속층 위의 제2 금속층을 포함하고, 제2 금속층은 제1 방향을 따라 거리(Ds)만큼 이격된 제1 금속 피처 및 제2 금속 피처를 더 포함하고, 제1 금속 피처는 도핑된 피처에 전기적으로 연결되고, 제1 비율(Ds/Dp)은 0.3보다 크다.