ISOLATION STRUCTURE TO INCREASE IMAGE SENSOR PERFORMANCE

• Main Authors: CHIANG YEN TING, HSU TZU HSUAN, HUNG FENG CHI, TING SHYH FANN, CHANG ALEX, CHEN YEN YU, LIU JEN CHENG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Various embodiments of the present invention relate to an image sensor including a plurality of photodetectors disposed within a substrate. The substrate includes a front side opposite to a back side. An outer isolation structure is disposed on the substrate and laterally surrounds the plurality of photodetectors. The outer isolation structure has a first height. An inner isolation structure is spaced between side walls of the outer isolation structure. The inner isolation structure is disposed between adjacent photodetectors in the plurality of photodetectors. The outer isolation structure and the inner isolation structure individually extend from the back side toward the front side. The inner isolation structure includes a second height that is less than the first height. 본 개시의 다양한 실시예들은 기판 내에 배치된 복수의 광검출기들을 포함하는 이미지 센서에 관한 것이다. 기판은 후측면 반대측에 있는 전측면을 포함한다. 외측 격리 구조체가 기판에 배치되고 복수의 광검출기들을 측방향으로 둘러싼다. 외측 격리 구조체는 제1 높이를 갖는다. 내측 격리 구조체는 외측 격리 구조체의 측벽들 사이에서 이격된다. 내측 격리 구조체는 복수의 광검출기들에서 인접한 광검출기들 사이에 배치된다. 외측 격리 구조체 및 내측 격리 구조체는 후측면으로부터 전측면을 향해 각각 연장된다. 내측 격리 구조체는 제1 높이보다 작은 제2 높이를 포함한다.