Semiconductor device

• Main Authors: SEO YE JEONG, KIM HYUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 소자가 제공된다. 이 반도체 소자는 기판 상에 적층된 제1 수평 전도성 라인 익스텐션, 제1 층간 절연 층, 제2 수평 전도성 라인 익스텐션, 및 제2 층간 절연 층을 포함하며 제1 수평 방향으로 연장되는 익스텐션 구조체, 상기 제2 층간 절연 층, 상기 제2 수평 전도성 라인 익스텐션, 및 상기 제1 층간 절연 층을 관통하고 상기 제1 수평 전도성 라인 익스텐션에 접촉하는 제1 컨택, 상기 제2 층간 절연 층을 관통하고 상기 제2 수평 전도성 라인 익스텐션에 접촉하는 제2 컨택; 및 상기 제1 컨택의 측벽과 상기 익스텐션 구조체 사이에 연장되며 상기 제1 컨택을 상기 제2 수평 전도성 라인 익스텐션으로부터 전기적으로 고립시키도록 구성된 제1 컨택 스페이서를 포함할 수 있다. A semiconductor device includes an extension structure including a first horizontal conductive line extension, a first interlayer insulating layer, a second horizontal conductive line extension, and a second interlayer insulating layer stacked on a substrate and extending in a first horizontal direction, a first contact configured to pass through the second interlayer insulating layer, the second horizontal conductive line extension, and the first interlayer insulating layer and contact the first horizontal conductive line extension, a second contact configured to pass through the second interlayer insulating layer and contact the second horizontal conductive line extension, and a first contact spacer extending between a sidewall of the first contact and the extension structure and configured to electrically isolate the first contact from the second horizontal conductive line extension.