Method of operating selector device method of operating nonvolatile memory apparatus using the same electronic circuit device including selector device and nonvolatile memory apparatus

• Main Authors: BYUNG JOON CHOI, TAE JUNG HA, SOO GIL KIM, HA YOUNG LEE, JEONG HWAN SONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.10.2023
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Disclosed are a method of operating a selector device, a method of operating a non-volatile memory apparatus applying the same, an electronic circuit device including a selector device, and a non-volatile memory apparatus, which may effectively restrain or prevent a snap-back phenomenon. The disclosed method of operating a selector device, which may control signal's access to a memory element, may comprise: a step of providing an insulator matrix, a switching layer including a non-insulative substance element disposed in the insulator matrix, and a selector device including first and second electrodes disposed on both surfaces of the switching layer; a step of applying a main operation voltage pulse to the switching layer through the first and second electrodes; and a step of applying a refresh voltage pulse having polarity opposite to the main operation voltage pulse to the switching layer through the first and second electrodes. The refresh voltage pulse may be applied to at least any one of before or after the application of the main operation voltage pulse. The main operation voltage pulse may have strength capable of turning on and turning off the selector device. The refresh voltage pulse may have strength smaller than a voltage that turns on the selector device in a direction corresponding to the opposite polarity. 선택 소자의 동작 방법, 이를 적용한 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법, 선택 소자를 포함한 전자 회로 장치 및 비휘발성 메모리 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 선택 소자의 동작 방법은 메모리 요소로의 신호의 접근을 제어하는 선택 소자의 동작 방법으로서, 절연체 매트릭스 및 상기 절연체 매트릭스 내에 배치된 비절연성 물질요소를 포함하는 스위칭층과 상기 스위칭층의 양면에 배치된 제 1 및 제 2 전극을 포함하는 선택 소자를 제공하는 단계, 상기 제 1 및 제 2 전극을 통해 상기 스위칭층에 메인 동작 전압 펄스를 인가하는 단계 및 상기 제 1 및 제 2 전극을 통해 상기 스위칭층에 상기 메인 동작 전압 펄스와 반대의 극성을 갖는 리프레시 전압 펄스를 인가하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 리프레시 전압 펄스는 상기 메인 동작 전압 펄스의 인가 전 및 인가 후 중 적어도 어느 하나에 인가될 수 있다. 상기 메인 동작 전압 펄스는 상기 선택 소자를 턴-온(turn-on) 및 턴-오프(turn-off)시키는 세기를 가질 수 있고, 상기 리프레시 전압 펄스는 상기 선택 소자를 상기 반대의 극성에 해당하는 방향으로 턴-온시키는 전압보다 작은 세기를 가질 수 있다.