VOLTAGE GENERATOR AND MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

• Main Authors: YOON CHI WEON, LEE CHEON AN, YOO BYUNG JOON, LEE YOON JAE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; PULSE TECHNIQUE; STATIC STORES

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 개시의 기술적 사상에 따른 메모리 장치가 개시된다. 상기 메모리 장치는, 복수의 워드라인과 복수의 비트라인에 전기적으로 접속되고 기판으로부터 수직으로 적층된 복수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이 영역; 및 상기 메모리 셀 어레이 영역의 하부에 형성되는 주변 회로 영역;을 포함하고, 상기 메모리 셀 어레이 영역과 상기 주변 회로 영역은 제1 방향으로 연장되는 관통 비아를 통해 전기적으로 연결되며, 상기 주변 회로 영역은 상기 메모리 셀을 동작시키기 위해 상기 워드라인에 인가되는 동작 전압을 생성하는 전압 생성기;를 포함하되, 상기 전압 생성기는, 클럭 신호에 따라 전압을 충전 및 펌핑하는 펌핑 커패시터부; 및 상기 클럭 신호 및 상기 펌핑 커패시터부에 흐르는 전류를 조절하는 신호 제어부;를 포함하되, 상기 신호 제어부는 상기 펌핑 커패시터부에 클럭 신호를 인가하고, 상기 관통 비아와 인접하여 배치되는 클럭 드라이버를 포함할 수 있다. A memory device includes a memory cell array region electrically connected to a plurality of word lines and a plurality of bit lines and the memory cell array including a plurality of memory cells, and a peripheral circuit region under the memory cell array region, wherein the memory cell array region and the peripheral circuit region are electrically connected by through vias, the peripheral circuit region includes a voltage generator configured to generate an operating voltage to apply to the word lines, the voltage generator includes a pumping capacitor unit configured to charge and pump a voltage based on a clock signal, and a signal controller configured to control the clock signal and a current flowing through the pumping capacitor unit, the signal controller includes a clock driver configured to apply a clock signal to the pumping capacitor, and the signal controller is adjacent to the through vias.