HARDMASK COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS

• Main Authors: KIM SEUNGHYUN, PARK SANGCHOL, SHIN SEUNG WOOK, CHOE HUISEON, KIM SANGMI, WON DONGHOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 04.10.2023
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOSITIONS BASED THEREON; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONSONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP

(i) 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 중합체, (ii) 하기 화학식 2로 표현되는 모이어티를 포함하는 화합물, 또는 (iii) 상기 (i)의 중합체와 상기 (ii)의 화합물의 조합, 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물, 및 상기 하드마스크 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다: [화학식 1] [화학식 2] JPEGpat00032.jpg3259JPEGpat00033.jpg2950 상기 화학식 1 및 화학식 2의 A1, R1, R2, 및 * 은 각각 명세서에 기재된 바와 같다.