변형이 감소된 전력 반도체 디바이스

전극들, 비아들, 및 금속 러너들의 전략적 배치 및 패터닝은 전력 반도체 다이 내의 변형을 상당히 감소시킬 수 있다. 전극들, 비아들, 및 금속 러너들을 정의하는 경로를 수정하는 것뿐만 아니라, 그것의 재료 층들을 패터닝함으로써, 변형이 더 양호하게 관리되어 전력 반도체 다이의 신뢰성을 증가시킬 수 있다. Strategic placement and patterning of electrodes, vias, and metal runners can significantly reduce strain in a power semiconduct...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors HULL BRETT, LICHTENWALNER DANIEL JENNER, SABRI SHADI, VAN BRUNT EDWARD ROBERT, HARRINGTON III THOMAS E, MCPHERSON JOE W, MCPHERSON BRICE
Format Patent
LanguageKorean
Published 26.09.2023
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:전극들, 비아들, 및 금속 러너들의 전략적 배치 및 패터닝은 전력 반도체 다이 내의 변형을 상당히 감소시킬 수 있다. 전극들, 비아들, 및 금속 러너들을 정의하는 경로를 수정하는 것뿐만 아니라, 그것의 재료 층들을 패터닝함으로써, 변형이 더 양호하게 관리되어 전력 반도체 다이의 신뢰성을 증가시킬 수 있다. Strategic placement and patterning of electrodes, vias, and metal runners can significantly reduce strain in a power semiconductor die. By modifying the path defining electrodes, vias, and metal runners, as well as patterning the material layers thereof, strain can be better managed to increase reliability of a power semiconductor die.
Bibliography:Application Number: KR20237028488