상 변화 메모리

본 발명의 실시예는 반도체 구조를 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조는 히터 위에 위치한 상 변화 소자를 포함할 수 있다. 상기 히터는 유전체 소자를 둘러싸는 전도성 소자를 포함할 수 있다. 상기 유전체 소자는 에어 갭을 포함할 수 있다. An embodiment of the invention may include a semiconductor structure. The semiconductor structure may include a phase change element located above a heater. The heate...

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Main Authors OK INJO, PHILIP TIMOTHY, REZNICEK ALEXANDER, KIM YOUNGSEOK, SEO SOON CHEON
Format Patent
LanguageKorean
Published 21.09.2023
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:본 발명의 실시예는 반도체 구조를 포함할 수 있다. 상기 반도체 구조는 히터 위에 위치한 상 변화 소자를 포함할 수 있다. 상기 히터는 유전체 소자를 둘러싸는 전도성 소자를 포함할 수 있다. 상기 유전체 소자는 에어 갭을 포함할 수 있다. An embodiment of the invention may include a semiconductor structure. The semiconductor structure may include a phase change element located above a heater. The heater may include a conductive element surrounding a dielectric element. The dielectric element may include an air gap.
Bibliography:Application Number: KR20237029285