플라스마 처리 방법

패턴 내의 소망의 재료 상에만 에칭을 억제하기 위한 보호막을 형성하여, 패턴을 에칭 처리하는 플라스마 처리 방법을 제공한다. 시료에 성막된 피에칭막을 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법은, 상기 시료의 표면을 청정화하는 청정화 공정과, 소망의 재료에 대하여 선택적으로 보호막을 상기 피에칭막에 형성된 패턴에 형성하는 보호막 형성 공정과, 상기 보호막 형성 공정 후, 상기 보호막을 산화시키는 산화 공정과, 상기 피에칭막을 플라스마 에칭하는 에칭 공정을 갖는다. A plasma processing method of forming a p...

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Main Authors MATSUI MIYAKO, KUWAHARA KENICHI
Format Patent
LanguageKorean
Published 12.09.2023
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
MEASURING
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TESTING
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Summary:패턴 내의 소망의 재료 상에만 에칭을 억제하기 위한 보호막을 형성하여, 패턴을 에칭 처리하는 플라스마 처리 방법을 제공한다. 시료에 성막된 피에칭막을 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법은, 상기 시료의 표면을 청정화하는 청정화 공정과, 소망의 재료에 대하여 선택적으로 보호막을 상기 피에칭막에 형성된 패턴에 형성하는 보호막 형성 공정과, 상기 보호막 형성 공정 후, 상기 보호막을 산화시키는 산화 공정과, 상기 피에칭막을 플라스마 에칭하는 에칭 공정을 갖는다. A plasma processing method of forming a protective film for suppressing etching only a desired material in a pattern to etch a pattern is provided. A plasma processing method for plasma etching a film to be etched formed on a sample includes a cleaning step of cleaning a surface of the sample, a protective film forming step of selectively forming a protective film on a desired material in a pattern formed on the film to be etched, an oxidation step of oxidizing the protective film after the protective film forming step, and an etching step of plasma-etching the film to be etched.
Bibliography:Application Number: KR20237004874