PROCESSING CHAMBER WITH SUBSTRATE EDGE ENHANCEMENT PROCESSING
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 더욱 상세하게는, 본 개시내용의 실시예들은 프로세싱 챔버를 제공하고, 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버에 배치된 기판의 에지에서 향상된 프로세싱 효율을 갖는다. 일 실시예에서, 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버 내의 내부 프로세싱 구역을 정의하는 챔버 바디, 프로세싱 챔버에 배치된 샤워헤드 조립체 -샤워헤드 조립체는 다수의 존들을 갖고, 샤워헤드 조립체의 중심 존에서보다 에지 존에서 애퍼처 밀도가 더 높음-, 프로세싱 챔버의 내부 프로세싱 구역에...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
08.09.2023
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Summary: | 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 더욱 상세하게는, 본 개시내용의 실시예들은 프로세싱 챔버를 제공하고, 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버에 배치된 기판의 에지에서 향상된 프로세싱 효율을 갖는다. 일 실시예에서, 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버 내의 내부 프로세싱 구역을 정의하는 챔버 바디, 프로세싱 챔버에 배치된 샤워헤드 조립체 -샤워헤드 조립체는 다수의 존들을 갖고, 샤워헤드 조립체의 중심 존에서보다 에지 존에서 애퍼처 밀도가 더 높음-, 프로세싱 챔버의 내부 프로세싱 구역에 배치된 기판 지지 조립체, 및 기판 지지 조립체의 에지 상에 배치되고, 기판 지지 조립체를 둘러싸는 포커스 링을 포함하며, 포커스 링은 최하부 폭과 실질적으로 유사한 측벽 높이를 갖는 단차를 갖는다.
Embodiments of the present disclosure generally provide an apparatus and methods for processing a substrate. More particularly, embodiments of the present disclosure provide a processing chamber having an enhanced processing efficiency at an edge of a substrate disposed in the processing chamber. In one embodiment, a processing chamber comprises a chamber body defining an interior processing region in a processing chamber, a showerhead assembly disposed in the processing chamber, wherein the showerhead assembly has multiple zones with an aperture density higher at an edge zone than at a center zone of the showerhead assembly, a substrate support assembly disposed in the interior processing region of the processing chamber, and a focus ring disposed on an edge of the substrate support assembly and circumscribing the substrate support assembly, wherein the focus ring has a step having a sidewall height substantially similar to a bottom width. |
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Bibliography: | Application Number: KR20237029061 |