PLASMA PROCESSING APPARATUS AND ETCHING METHOD

• Main Authors: TABATA MASAHIRO, KUMAKURA SHO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.09.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

When etching an object to be processed containing silicon carbide, a selectivity can be desirably improved. According to an etching method for processing an object to be processed having a first region containing silicon carbide and a second region making contact with the first region and containing silicon nitride, comprises etching the first region by removing the first region in each atomic layer by repeating a sequence of: generating plasma from a first gas containing nitrogen to form a mixed layer containing ions contained in the plasma in an atomic layer of an exposed surface of the first region; and generating plasma from a second gas containing fluorine to remove the mixed layer by radicals contained in the plasma. 탄화 규소를 포함하는 피처리체에 대한 에칭에 있어서 바람직하게 선택비를 향상시킨다. 탄화 규소를 포함하는 제 1 영역과 제 1 영역에 접하고 질화 규소를 포함하는 제 2 영역을 구비한 피처리체를 처리하는 일실시 형태에 따른 에칭 방법에 있어서, 질소를 포함하는 제 1 가스의 플라즈마를 생성하여 당해 플라즈마에 포함되는 이온을 포함하는 혼합층을 제 1 영역의 노출면의 원자층에 형성하고, 불소를 포함하는 제 2 가스의 플라즈마를 생성하여 당해 플라즈마에 포함되는 라디칼에 의해 혼합층을 제거하는 시퀀스를 반복하여 실행해, 제 1 영역을 원자층마다 제거함으로써 제 1 영역을 에칭한다.