스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
스퍼터링 타깃의 균열을 억제할 수 있는, Al 함유량이 높은 Cu-Al 2원 합금 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법을 제공한다. Cu 및 Al의 2원 합금을 포함하고, 잔부가 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체로 구성되는 스퍼터링 타깃이며, Cu와 Al의 함유량(at%)이 0.48≤Al/(Cu+Al)≤0.70의 관계식을 충족하고, 상대 밀도가 95% 이상인 스퍼터링 타깃. Provided are a Cu-Al binary alloy sputtering target having a high Al content and a method f...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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05.09.2023
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Summary: | 스퍼터링 타깃의 균열을 억제할 수 있는, Al 함유량이 높은 Cu-Al 2원 합금 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법을 제공한다. Cu 및 Al의 2원 합금을 포함하고, 잔부가 불가피적 불순물로 이루어지는 소결체로 구성되는 스퍼터링 타깃이며, Cu와 Al의 함유량(at%)이 0.48≤Al/(Cu+Al)≤0.70의 관계식을 충족하고, 상대 밀도가 95% 이상인 스퍼터링 타깃.
Provided are a Cu-Al binary alloy sputtering target having a high Al content and a method for producing the same, which make it possible to suppress cracking of a sputtering target. The present invention provides a sputtering target composed of a sintered body containing a binary alloy of Cu and Al, with the balance consisting of unavoidable impurities, wherein the contents (at%) of Cu and Al satisfy the following relational expression: 0.48 ≤ Al/(Cu + Al) ≤ 0.70, and the relative density is 95% or more. |
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Bibliography: | Application Number: KR20237016178 |