초접합 MOSFET 소자

• Main Authors: ZHANG PENGCHENG, LIU ZHONGWANG, LENG JING, LIAO TIAN, MA RONGYAO, WANG DAILI
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 29.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은, 제1 도전형 서브스트레이트; 서브스트레이트에 위치하는 제1 도전형 버퍼층; 버퍼층에 위치하고, 횡방향으로 순차적으로 교대로 간격을 두고 분포된 다수의 제1 도전형 필러 및 제2 도전형 필러를 포함하되, 제2 도전형은 제1 도전형과 상이하고; 다수의 제2 도전형 필러는 부분적 및/또는 전체적으로 오프셋되어 제1 도전형 필러가 2개 이상의 상이한 횡방향 사이즈를 갖도록 하는 초접합 구조; 제2 도전형 필러의 상부에 위치하는 제2 도전형 바디 영역; 바디 영역 내에 위치하고, 서로 접촉된 제1 도전형 소스 영역 및 제2 도전형 옴 접촉 영역을 포함하는 소스 구조; 및 제1 도전형 필러 및 소스 구조와 접촉하는 게이트 구조를 포함하는 초접합 MOSFET 소자를 제공한다. 본 발명에서 개선된 구조 설계는 커패시턴스의 감소 기울기를 더욱 완만하게 하여 적용 시 소자의 전자파 간섭 등의 문제점을 효과적으로 완화시킬 수 있다. The present invention provides a super junction MOSFET device, comprising: a substrate of a first conductivity type; a buffer layer of the first conductivity type, which is located on the substrate; a super junction structure, which is located on the buffer layer, wherein the super junction structure comprises a plurality of first conductivity type columns and second conductivity type columns which are sequentially and alternately spaced apart and distributed in the lateral direction, the second conductivity type is different from the first conductivity type, and several second conductivity type columns are locally and/or entirely offset, so that the first conductivity type columns have more than two different lateral dimensions; a body region of the second conductivity type, which is located above the second conductivity type columns; a source structure, which is located in the body region, the source structure comprising a source region of the first conductivity type and an ohmic contact region of the second conductivity type which make contact with one another; and a gate structure, which makes contact with the first conductivity type columns and the source structure. The improved structural design of the present invention can slow the capacitance falling slope so as to effectively alleviate problems such as electromagnetic interference on the device during application.