MANUFACTURE OF POWER DEVICES HAVING INVERSION CHANNEL

본원에서는 디바이스가 설명된다. 디바이스는 SiC 기판 상의 유닛 셀을 포함한다. 유닛 셀은 게이트 절연막, 웰 영역의 트렌치, 제2 전도 유형을 갖는 제1 싱커 영역 및 제2 전도 유형을 갖는 제2 싱커 영역을 포함한다. 제1 싱커 영역의 깊이는 웰 영역의 깊이 이상이다. 제1 싱커 영역 및 제2 싱커 영역 각각은 제1 전도 유형을 갖는 영역과 접촉하여 p-n 접합을 형성한다. A device is described herein. The device comprises a unit cell on a SiC substrate. The...

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Main Authors SUNDARESAN SIDDARTH, PARK JAEHOON, SINGH RANBIR
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 29.08.2023
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본원에서는 디바이스가 설명된다. 디바이스는 SiC 기판 상의 유닛 셀을 포함한다. 유닛 셀은 게이트 절연막, 웰 영역의 트렌치, 제2 전도 유형을 갖는 제1 싱커 영역 및 제2 전도 유형을 갖는 제2 싱커 영역을 포함한다. 제1 싱커 영역의 깊이는 웰 영역의 깊이 이상이다. 제1 싱커 영역 및 제2 싱커 영역 각각은 제1 전도 유형을 갖는 영역과 접촉하여 p-n 접합을 형성한다. A device is described herein. The device comprises a unit cell on a SiC substrate. The unit cell comprises a gate insulator film, a trench in a well region, a first sinker region having a second conduction type, and a second sinker region having the second conduction type. The first sinker region has a depth that is equal to or greater than a depth of the well region. Each of the first sinker region and the second sinker region is in contact with a region having a first conduction type to form a p-n junction.
Bibliography:Application Number: KR20237019229