단결정 실리콘 잉곳들의 성장 중의 버퍼 부재들의 사용

• Main Authors: MARCHESE FRANCESCA, HO WAI KITT JAMES, PANNOCCHIA MATTEO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 25.08.2023
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

연속 초크랄스키(CCz)에 의해 단결정 실리콘 잉곳들을 생산하는 방법들이 개시된다. 잉곳의 메인 바디가 성장되기 전에 버퍼 부재들의 배치(예컨대, 석영 컬렛들)가 도가니 조립체의 외부 용융 구역에 추가된다. 일부 실시예들에서, 용융물에 추가된 버퍼 부재들의 배치의 질량(M)과 버퍼 부재들의 배치를 용융물에 추가한 것과 잉곳 메인 바디가 성장하기 시작할 때 사이의 시간의 비율은 M/T 비율이 임계 M/T보다 크도록 제어된다. Methods for producing single crystal silicon ingots by Continuous Czochralski (CCz) are disclosed. A batch of buffer members (e.g., quartz cullets) is added to an outer melt zone of the crucible assembly before the main body of the ingot is grown. In some embodiments, the ratio of the mass M of the batch of buffer members added to the melt to the time between adding the batch of buffer members to the melt and when the ingot main body begins to grow is controlled such that the ratio of M/T is greater than a threshold M/T.