BOW BACKSIDE DEPOSITION AND LOCAL STRESS MODULATION FOR WAFER BOW COMPENSATION

보잉된 반도체 기판의 배면 상에 증착된 보우 보상 층은 비대칭적인 보잉을 완화시키기 위해 응력을 조절할 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 보우 보상 층은 보잉된 반도체 기판을 따른 비선형 질량 유량 프로파일에 따라 배면에 인접한 전구체 농도를 달라지게 (vary) 함으로써 형성될 수도 있다. 전구체 플로우는 포물선 함수 또는 다항식 함수와 매칭하거나 실질적으로 매칭하는 방식으로 달라질 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 샤워헤드 페데스탈은 보잉된 반도체 기판을 따라 전구체 플로우를 달라지게 할 수도 있고, 여기서 샤워헤드 페데스탈은...

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Main Authors CHANDRASEKAR VIGNESH, HUANG YANHUI, VINTILA ADRIANA, BAPAT SHRIRAM VASANT
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 17.08.2023
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMICAL SURFACE TREATMENT
CHEMISTRY
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL
COATING METALLIC MATERIAL
DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL
METALLURGY
SEMICONDUCTOR DEVICES
SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Summary:보잉된 반도체 기판의 배면 상에 증착된 보우 보상 층은 비대칭적인 보잉을 완화시키기 위해 응력을 조절할 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 보우 보상 층은 보잉된 반도체 기판을 따른 비선형 질량 유량 프로파일에 따라 배면에 인접한 전구체 농도를 달라지게 (vary) 함으로써 형성될 수도 있다. 전구체 플로우는 포물선 함수 또는 다항식 함수와 매칭하거나 실질적으로 매칭하는 방식으로 달라질 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 샤워헤드 페데스탈은 보잉된 반도체 기판을 따라 전구체 플로우를 달라지게 할 수도 있고, 여기서 샤워헤드 페데스탈은 제 1 가스를 플레넘 볼륨의 제 1 존으로 전달하고 제 2 가스를 플레넘 볼륨의 제 2 존으로 전달하기 위해 복수의 존들로 분할된다. In A bow compensation layer deposited on a backside of a bowed semiconductor substrate may modulate stress to mitigate asymmetric bowing. In some implementations, the bow compensation layer may be formed by varying precursor concentration adjacent to the backside according to a non-linear mass flow profile along the bowed semiconductor substrate. Precursor flow may be varied in a manner to match or substantially match a parabolic or polynomial function. In some implementations, a showerhead pedestal may vary precursor flow along the bowed semiconductor substrate, where the showerhead pedestal is divided into multiple zones for delivering a first gas to a first zone of a plenum volume and a second gas to a second zone of the plenum volume.
Bibliography:Application Number: KR20237026375