CAPACITOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

• Main Authors: LIM HAN JIN, KIM BEOM JONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.08.2023
• Subjects: ELECTRICITY

A semiconductor device comprises: first electrodes formed on a substrate to be spaced apart from each other in a horizontal direction parallel to an upper surface of the substrate; first support patterns contacting sidewalls of the first electrodes; a dielectric layer formed on surfaces of the first electrodes and the first support patterns; and a second electrode formed on the dielectric layer. The first support patterns are arranged in a first direction parallel to the upper surface of the substrate and from the top view, contact sidewalls of central portions of the first electrodes in a second direction parallel to the upper surface of the substrate and orthogonal to the first direction, and are not in contact with sidewalls of edge portions of the first electrodes in the second direction. Provided is a capacitor structure with high capacitance. 커패시터 구조물은, 기판 상에 형성되어 상기 기판의 상면에 평행한 수평 방향을 따라 서로 이격된 제1 전극들; 상기 제1 전극들의 측벽에 접촉하는 제1 지지 패턴들; 상기 제1 전극들 및 상기 제1 지지 패턴들의 표면에 형성된 유전막; 및 상기 유전막 상에 형성된 제2 전극을 포함할 수 있으며, 상기 제1 지지 패턴들은 상기 기판 상면에 평행한 제1 방향으로 배열되며, 상부에서 보았을 때 상기 기판 상면에 평행하고 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로의 상기 제1 전극들의 중앙부의 측벽에 접촉하고 상기 제2 방향으로의 양 가장자리 부분들의 측벽에는 접촉하지 않을 수 있다.