플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
a) 플라즈마 처리 챔버 내 기판 지지부 상에, 실리콘 함유막과 상기 실리콘 함유막 상의 마스크를 갖는 기판을 제공하는 공정과, b) 상기 플라즈마 처리 챔버 내에 처리 가스를 공급하는 공정과, c) 상기 기판 지지부에 주기적으로 펄스 전압을 공급하는 공정과, d) 주기적으로 RF 전력을 공급하여 상기 RF 전력에 의해 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 생성함으로써 상기 실리콘 함유막을 에칭하는 공정을 포함하며, 상기 펄스 전압은 마이너스 극성을 가지며, 상기 c) 공정은, 제1 펄스 전압을 공급하는 제1 기간과, 상기 마이너스 극성...
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Format | Patent |
Language | Korean |
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11.08.2023
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