플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치

• Main Authors: GUO SHIRONG, KON YOSHIMITSU, SASAKI HIKOICHIRO, IKEDA TAKENOBU
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 11.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

a) 플라즈마 처리 챔버 내 기판 지지부 상에, 실리콘 함유막과 상기 실리콘 함유막 상의 마스크를 갖는 기판을 제공하는 공정과, b) 상기 플라즈마 처리 챔버 내에 처리 가스를 공급하는 공정과, c) 상기 기판 지지부에 주기적으로 펄스 전압을 공급하는 공정과, d) 주기적으로 RF 전력을 공급하여 상기 RF 전력에 의해 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 생성함으로써 상기 실리콘 함유막을 에칭하는 공정을 포함하며, 상기 펄스 전압은 마이너스 극성을 가지며, 상기 c) 공정은, 제1 펄스 전압을 공급하는 제1 기간과, 상기 마이너스 극성을 갖는 펄스 전압을 공급하지 않거나 절대값이 상기 제1 펄스 전압보다 작은 제2 펄스 전압을 공급하는 제2 기간을 반복하는 것이며, 상기 d) 공정은, 제1 RF 전력을 공급하는 제3 기간과, 상기 RF 전력을 공급하지 않거나 상기 제1 RF 전력보다 작은 제2 RF 전력을 공급하는 제4 기간을 반복하는 것이며, 상기 제1 기간을 상기 제3 기간의 시작 전에 시작하는 것인 플라즈마 처리 방법이 제공된다. A plasma processing method includes:a) providing a substrate on a substrate support;b) supplying a process gas;c) periodically supplying a pulse voltage to the substrate support; andd) periodically supplying RF power and generating plasma from the process gas to etch a silicon-containing film included in the substrate. The pulse voltage is negative. A first period in which a first pulse voltage is supplied and a second period in which the pulse voltage is not supplied or a second pulse voltage whose absolute value is less than that of the first pulse voltage is supplied are repeated in c). A third period in which first RF power is supplied and a fourth period in which the RF power is not supplied or second RF power less than the first RF power is supplied are repeated in d). The first period starts before a start of the third period.