Semiconductor devices and manufacturing methods for the same

• Main Authors: CHEON KWANG HEE, CHUNG SANG GYO, LEE CHAN MI, YI HA YOUNG, HAN SEUNG HEE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A manufacturing method of a semiconductor device comprises: a step of forming a plurality of reference patterns and a peripheral pattern connected to end parts of the plurality of reference patterns by using a first material on a feature layer; a step of forming a plurality of first spacers by using a second material on both side walls of each of the plurality of reference patterns; a step of removing the plurality of reference patterns; a step of forming a plurality of second spacers by using the first material on both side walls of each of the plurality of first spacers; a step of removing the plurality of first spacers to leave only the plurality of second spacers and the peripheral pattern on the feature layer; and a step of patterning the feature layer by using the plurality of second spacers and the peripheral pattern as an etching mask. Therefore, a patterning process can be precisely controlled. 반도체 장치의 제조 방법은, 피쳐층 상에 제1 물질을 사용하여 복수의 기준 패턴들과 상기 복수의 기준 패턴들의 단부들에 연결되는 주변 패턴을 형성하는 단계; 상기 복수의 기준 패턴들 각각의 양 측벽 상에 제2 물질을 사용하여 복수의 제1 스페이서들을 형성하는 단계; 상기 복수의 기준 패턴들을 제거하는 단계; 상기 복수의 제1 스페이서들 각각의 양 측벽 상에 상기 제1 물질을 사용하여 복수의 제2 스페이서들을 형성하는 단계; 상기 피쳐층 상에 상기 복수의 제2 스페이서들과 상기 주변 패턴만을 남기도록 상기 복수의 제1 스페이서들을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 제2 스페이서들과 상기 주변 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 피쳐층을 패터닝하는 단계;를 포함한다.