선택적 플라즈마 강화 원자층 증착

• Main Authors: PEARLSTEIN RONALD M, XU WANXING, WU AIPING, RAMESH ROHIT NARAYANAN KAVASSERY, RIDGEWAY ROBERT GORDON, AGARWAL SUMIT, LEE YI CHIA, GASVODA RYAN JAMES, LEI XINJIAN
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 07.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

선택적 플라즈마 강화 원자층 증착(ALD) 방법이 개시된다. 방법은 유전체 물질, 및 금속을 포함하는 기판을 반응기에 로딩하는 것을 포함할 수 있다. 기판은 비-플라즈마 기반 산화제와 반응하여, 금속 상에 산화된 금속 표면을 형성시킬 수 있다. 기판은 가열되고, 유전체 물질보다 산화된 금속 상에 더 많이 흡착하는 패시베이션제에 노출될 수 있다. 이러한 노출은 산화된 금속 표면 상에 패시베이션 층을 형성시킬 수 있고, 기판은 패시베이션 층보다 유전체 물질 상에 더 많이 흡착하는 규소 전구체에 노출되어, 유전체 물질 상에 화학-흡착된 규소-함유 층을 형성시킬 수 있다. 기판은 동시에 패시베이션 층을 부분 산화시키고 화학-흡착된 규소-함유 층을 산화시켜 유전체 물질 상에 유전체 필름을 형성시키는 플라즈마-기반 산화제에 노출될 수 있다. A selective thermal atomic layer deposition (ALD) process is disclosed. The process may comprise loading a substrate comprising a dielectric material, and a metal, into a reactor. The substrate may be reacted with a non-plasma based oxidant, thereby forming an oxidized metal surface on the metal. The substrate may be heated and exposed to a passivation agent that adsorbs more onto the oxidized metal than the dielectric material. Such exposure may form a passivation layer on the oxidized metal surface, and the substrate may be exposed to a silicon precursor that adsorbs more onto the dielectric material than the passivation layer, forming a chemi-adsorbed silicon-containing layer on the dielectric material. The substrate may be exposed to the non-plasma based oxidant, that simultaneously partially oxidizes the passivation layer, and oxidizes the chemi-adsorbed silicon-containing layer to form a silicon-containing dielectric film on the dielectric material.