ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

• Main Author: MATSUO MIZUKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 03.08.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The objective of the present invention is to provide an etching method and plasma processing apparatus capable of forming a concave part with a good shape. To achieve this, the etching method comprises: (a) a process of preparing a substrate, wherein the substrate includes a silicone-containing film and a mask on the silicone-containing film, the silicone-containing film includes a first region and a second region, and in a cross section extending in a direction perpendicular to the surface direction of the substrate, a boundary line between the first region and the second region has an inclined part extending in an inclined direction with respect to the surface direction; (b) a process of etching, after the process (a), the first region with a first plasma generated from a first processing gas to form a concave part; (c) a process of supplying, after the process (b), a second plasma generated from a second processing gas containing tungsten to the substrate; (d) a process of etching, after the process (c), the concave part by a third plasma generated from the third processing gas. After the process (d), the concave part crosses the inclined part in the cross section. 본 개시는, 양호한 형상을 갖는 오목부를 형성할 수 있는 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 에칭 방법은, (a) 기판을 준비하는 공정으로서, 기판은, 실리콘 함유막과, 실리콘 함유막 상의 마스크를 가지며, 실리콘 함유막은 제1 영역과 제2 영역을 포함하고, 기판의 면방향에 직교하는 방향으로 연장되는 단면에 있어서, 제1 영역과 제2 영역 사이의 경계선이, 면방향에 대하여 경사진 방향으로 연장되는 경사 부분을 갖는, 공정과, (b) (a) 후, 제1 처리 가스로부터 생성되는 제1 플라즈마에 의해 제1 영역을 에칭하여 오목부를 형성하는 공정과, (c) (b) 후, 텅스텐을 포함하는 제2 처리 가스로부터 생성되는 제2 플라즈마를 기판에 공급하는 공정과, (d) (c) 후, 제3 처리 가스로부터 생성되는 제3 플라즈마에 의해 오목부를 에칭하는 공정을 포함한다. (d) 후, 오목부는 단면에 있어서 경사 부분을 가로지른다.