가스 분석 장치 및 가스 분석 방법
본 발명은 반도체 제조 프로세스에 이용하는 재료 가스 또는 반도체 제조 프로세스에 의해 생기는 부 생성 가스에 포함되는 할로겐화물의 농도 또는 분압을 정밀도 좋게 측정하는 것이며, 반도체 제조 프로세스에 이용하는 재료 가스 또는 반도체 제조 프로세스에 의해 생기는 부 생성 가스에 포함되는 할로겐화물의 농도 또는 분압을 분석하는 가스 분석 장치로서, 재료 가스 또는 부 생성 가스가 도입되는 가스 셀과, 가스 셀에 파장 변조된 레이저광을 조사하는 레이저 광원과, 가스 셀을 투과한 레이저광을 검출하는 광 검출기와, 광 검출기의 출력 신호...
Saved in:
Main Authors | , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | Korean |
Published |
27.07.2023
|
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | 본 발명은 반도체 제조 프로세스에 이용하는 재료 가스 또는 반도체 제조 프로세스에 의해 생기는 부 생성 가스에 포함되는 할로겐화물의 농도 또는 분압을 정밀도 좋게 측정하는 것이며, 반도체 제조 프로세스에 이용하는 재료 가스 또는 반도체 제조 프로세스에 의해 생기는 부 생성 가스에 포함되는 할로겐화물의 농도 또는 분압을 분석하는 가스 분석 장치로서, 재료 가스 또는 부 생성 가스가 도입되는 가스 셀과, 가스 셀에 파장 변조된 레이저광을 조사하는 레이저 광원과, 가스 셀을 투과한 레이저광을 검출하는 광 검출기와, 광 검출기의 출력 신호에 의해 얻어지는 광 흡수 신호를 이용하여 할로겐화물의 농도 또는 분압을 산출하는 신호 처리부를 구비하고, 가스 셀은 대기압보다도 작은 소정의 압력으로 감압되어 있고, 레이저 광원은 할로겐화물의 광 흡수 신호의 특징부를 포함하는 파장 변조 범위에서 상기 레이저광을 파장 변조한다.
The present invention is a gas analysis device that measures a concentration or partial pressure of a halide contained in a material gas used in semiconductor manufacturing process or a by-product gas generated in semiconductor manufacturing process with good accuracy, the device being for analyzing a concentration or partial pressure of a halide contained in a material gas used in a semiconductor manufacturing process or a by-product gas generated in a semiconductor manufacturing process, the device including a gas cell into which the material gas or the by-product gas is introduced, a laser light source that irradiates the gas cell with laser light whose wavelength is modulated, a light detector that detects the laser light transmitted through the gas cell, and a signal processing unit that calculates the concentration or partial pressure of the halide by using a light absorption signal obtained from an output signal of the light detector. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: KR20237017439 |