고체 촬상 소자

• Main Author: KIMIZUKA NAOHIKO
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 27.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

[과제] 화소 트랜지스터의 특성을 조정할 수 있고, 미세화할 수 있는 촬상 소자를 제공한다. [해결 수단] 고체 촬상 소자는 기판의 표면 상에 마련된 복수의 화소를 구비한 고체 촬상 소자이며, 화소는, 광전 변환부와, 광전 변환부에 일단부가 접속된 제1 트랜지스터와, 제1 전원과 제1 신호선 사이에 마련된 제2 트랜지스터와, 제2 트랜지스터와 제1 신호선 간에 접속된 제3 트랜지스터를 구비하고, 제2 트랜지스터는, 기판의 표면에 대하여 대략 수직 방향으로 연신하는 제1 채널 영역과, 제1 채널 영역의 상면 및 양측면에 마련되고, 제1 트랜지스터의 타단에 접속된 제1 게이트 전극을 갖고, 제3 트랜지스터는, 기판의 표면에 대하여 대략 수직 방향으로 연신하는 제2 채널 영역과, 제2 채널 영역의 상면 및 양측면에 마련된 제2 게이트 전극을 갖고, 제1 채널 영역의 양측면 사이의 제1 폭과 제2 채널 영역의 양측면 사이의 제2 폭과는 서로 다르다. To provide an imaging element capable of adjusting characteristics of a pixel transistor and miniaturizing the pixel transistor.A solid-state imaging element is a solid-state imaging element including a plurality of pixels provided on a surface of a substrate, each of the pixels including: a photoelectric conversion section; a first transistor having one end connected to the photoelectric conversion section; a second transistor provided between a first power supply and a first signal line; and a third transistor connected between the second transistor and the first signal line. The second transistor includes a first channel region extending in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate, and a first gate electrode provided on an upper surface and both side surfaces of the first channel region and connected to another end of the first transistor. The third transistor has a second channel region extending in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate, and a second gate electrode provided on an upper surface and both side surfaces of the second channel region. A first width between both side surfaces of the first channel region and a second width between both side surfaces of the second channel region are different from each other.