Method of Forming an Epitaxial Stack on a Plurality of Substrates

• Main Authors: JONGBLOED BERT, VAN AERDE STEVEN, WESTROM PETER, HOUBEN KELLY, VERWEIJ WILCO, PIERREUX DIETER
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.07.2023
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Provided is a method for forming an epitaxial stack on a plurality of substrates to increase throughput and yield of a semiconductor processing apparatus. According to a preferred embodiment of the present invention, the method comprises: a step of providing a semiconductor processing apparatus, wherein the semiconductor processing apparatus includes a processing chamber and carousel for mounting a wafer boat before or after processing in a processing chamber; a step of loading the wafer boat into the process chamber, wherein the wafer boat includes a plurality of substrates; and a step of processing the plurality of substrates in the process chamber to form an epitaxial stack on the plurality of substrates, wherein the epitaxial stack has a predetermined thickness. The processing step includes a step of unloading the wafer boat from the process chamber into the carousel one or more times until the epitaxial stack reaches a desired thickness. 복수의 기판 상에 에피택셜 스택을 형성하는 방법이 제공된다. 바람직한 구현예에서, 방법은 반도체 처리 장치를 제공하는 단계를 포함한다. 이 반도체 처리 장치는 공정 챔버 내에서의 처리 전 또는 후에 웨이퍼 보트를 스테이션 장착하기 위한 처리 챔버 및 캐러셀을 포함한다. 방법은 웨이퍼 보트를 공정 챔버 내에 로딩하는 단계를 추가로 포함하되, 웨이퍼 보트는 복수의 기판을 포함한다. 방법은 공정 챔버 내에서 복수의 기판을 처리함으로써, 복수의 기판 상에 에피택셜 스택을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 이러한 에피택셜 스택은 소정의 두께를 갖는다. 처리 단계는, 에피택셜 스택이 소정의 두께에 도달할 때까지 웨이퍼 보트를 공정 챔버로부터 캐러셀로 한 번 이상 언로딩하는 단계를 포함한다.