Semiconductor memory device

• Main Authors: KWON HYUKWOO, CHOO SEONGMIN, KIM JANGSEOP
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.07.2023
• Subjects: ELECTRICITY

A semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention comprises: lower electrodes; an upper support film provided on the upper surfaces of the lower electrodes; and an upper electrode provided on the upper support film and filling a first area penetrating the upper support film and a second area extending from the first area to between the lower electrodes, wherein each of the lower electrodes includes a first part which overlapping perpendicularly with the first area and a second part covered by the upper support film. The upper surface of the first part is exposed by the upper support film, and the upper surface of the second portion is in contact with the upper support film. The upper support film can be positioned within an internal space surrounded by each of the lower electrodes. Therefore, the semiconductor memory device can increase the capacitance of a capacitor by increasing the utilization area of the lower electrodes. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 소자는 하부 전극들, 상기 하부 전극들의 상면들 상에 배치되는 상부 지지막 및 상기 상부 지지막 상에 배치되고, 상기 상부 지지막을 관통하는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역으로부터 상기 하부 전극들 사이로 연장되는 제 2 영역 내를 채우는 상부 전극을 포함하되, 상기 하부 전극들 각각은, 상기 제 1 영역과 수직으로 중첩하는 제 1 부분 및 상기 상부 지지막에 의해 덮이는 제 2 부분을 포함하되, 상기 제 1 부분의 상면은 상기 상부 지지막에 의해 노출되고, 상기 제 2 부분의 상면은 상기 상부 지지막과 접촉하되, 상기 상부 지지막은 상기 하부 전극들 각각으로 둘러싸인 내부공간 내에 배치될 수 있다.