SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: BAE KI HO, YOON BOUN, KIM YUNJIN, YOON ILYOUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 20.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes: a substrate including a first cell region, a second cell region, and a dummy region between the first and second cell regions; and conductive patterns on the substrate. A first pattern density defined as the density of the conductive patterns in the first cell region is different from a second pattern density defined as the density of the conductive patterns in the second cell region. A third pattern density defined as the density of the conductive patterns in the dummy region, gradually changes between the first cell region and the second cell region. The upper surface of the substrate in the dummy region has a slope. Therefore, it is possible to provide a semiconductor device with improved electrical characteristics and reliability. 본 발명은 제1 셀 영역, 제2 셀 영역, 및 상기 제1 및 제2 셀 영역들 사이의 더미 영역을 포함하는 기판, 및 상기 기판 상의 도전 패턴들을 포함하되, 상기 제1 셀 영역의 상기 도전 패턴들의 밀도로 정의되는 제1 패턴 밀도는 상기 제2 셀 영역의 상기 도전 패턴들의 밀도로 정의되는 제2 패턴 밀도와 다르고, 상기 더미 영역의 상기 도전 패턴들의 밀도로 정의되는 제3 패턴 밀도는 상기 제1 셀 영역과 상기 제2 셀 영역 사이에서 점진적으로 변화하고, 상기 더미 영역에서 상기 기판의 상면은 기울기를 갖는 반도체 소자를 개시한다.