정적 자기장을 사용한 플라즈마 균일도 제어

• Main Authors: MARAKHTANOV ALEXEI, LUCCHESI KEN, HOLLAND JOHN, JI BING
• Format: Patent
• Language: Korean
• Published: 18.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

웨이퍼 상에서 플라즈마 프로세스를 수행하기 위한 시스템이 제공되고, 이는: 플라즈마 프로세싱을 위해 웨이퍼를 수용하도록 구성되고 그리고 플라즈마가 웨이퍼의 플라즈마 프로세싱을 위해 제공되는 플라즈마 프로세싱 영역을 규정하는 내부를 갖는, 챔버; 챔버 위에 배치되고 (dispose) 그리고 웨이퍼의 표면 평면에 수직인 축을 중심으로 센터링되고 웨이퍼의 대략 중심을 통해 센터링되는, 제 1 자기 코일; 플라즈마 프로세싱 동안 제 1 자기 코일에 제 1 DC 전류를 인가하도록 구성된 제 1 DC 전력 공급부로서, 인가된 제 1 DC 전류는 플라즈마의 불균일성을 감소시키는 플라즈마 프로세싱 영역 내에서 자기장을 생성하는, 제 1 DC 전력 공급부를 포함한다. A system for performing a plasma process on a wafer is provided, including: a chamber configured to receive a wafer for plasma processing and having an interior defining a plasma processing region in which a plasma is provided for the plasma processing of the wafer; a first magnetic coil disposed above the chamber and centered about an axis perpendicular to a surface plane of the wafer and through an approximate center of the wafer; a first DC power supply configured to apply a first DC current to the first magnetic coil during the plasma processing, the applied first DC current producing a magnetic field in the plasma processing region that reduces non-uniformity of the plasma.