RF RF AMPLIFIER DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING

• Main Authors: MARBELL MARVIN, NOORI BASIM, LIM KWANGMO CHRIS, KOMPOSCH ALEXANDER, DEVITA MICHAEL, MU QIANLI, SHEPPARD SCOTT
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.07.2023
• Subjects: AMPLIFIERS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

트랜지스터 증폭기는, 제1 및 제2 주 표면들을 포함하는 반도체 층 구조, 및 전기적으로 병렬로 연결되는, 제1 주 표면 상에 있는 복수의 단위 셀 트랜지스터들을 포함하며, 각각의 단위 셀 트랜지스터는 게이트 매니폴드에 결합되는 게이트 핑거, 드레인 매니폴드에 결합되는 드레인 핑거, 및 소스 핑거를 포함한다. 반도체 층 구조에는 제2 주 표면 상에 소스 핑거들에 대한 비아가 없다. A transistor amplifier includes a semiconductor layer structure comprising first and second major surfaces and a plurality of unit cell transistors on the first major surface that are electrically connected in parallel, each unit cell transistor comprising a gate finger coupled to a gate manifold, a drain finger coupled to a drain manifold, and a source finger. The semiconductor layer structure is free of a via to the source fingers on the second major surface.