LIGHT EMITTING ELEMENT METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND DISPLAY DEVICE

• Main Authors: CHOI JIN YOUNG, LEE JOO HEE, YOO JE WON, JOO CHAN WOO, KIM JONG IL, OH SANG HO, JEON SANG HO, CHOI YONG SEOK, AHNRI, KIM IN PYO, HA JONG HOON, HONGMI, KIM RAN, BYUN JIN HO, JUNG JUNG WOON, SHEEN MI HYANG, KIM DO HYUNG, KIM DONG UK, YEON KI YOUNG, LEE JAE KWANG, LEE CHANG HEE, KO YUN HYUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a light-emitting device, a method for manufacturing the same, and a display device. The method for manufacturing a light-emitting device comprises the steps of: preparing a base substrate and forming a first semiconductor material layer, a light-emitting material layer, a second semiconductor material layer, and an electrode material layer on the base substrate; forming a plurality of semiconductor rods spaced apart from each other by etching the first semiconductor material layer, the light-emitting material layer, the second semiconductor material layer, and the electrode material layer in a direction perpendicular to an upper surface of the base substrate; immersing the base substrate on which the semiconductor rods are formed in a solution containing a precursor material to form an insulating film surrounding the side of the semiconductor rods through a sol-gel process; and forming a plurality of light-emitting devices by separating the semiconductor rods on which the insulating film is formed from the base substrate, wherein the light-emitting device has an external quantum efficiency of 20.2 ± 0.6 %. According to the present invention, the display device has a light-emitting device and thus has high light emission efficiency. 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치가 제공된다. 발광 소자의 제조 방법은 베이스 기판을 준비하고, 상기 베이스 기판 상에 제1 반도체 재료층, 발광 재료층, 제2 반도체 재료층, 및 전극 재료층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체 재료층, 상기 발광 재료층, 상기 제2 반도체 재료층, 및 상기 전극 재료층을 상기 베이스 기판의 상면에 수직한 방향으로 식각하여 서로 이격된 복수의 반도체 로드들을 형성하는 단계, 상기 반도체 로드들이 형성된 상기 베이스 기판은 전구체 물질을 포함하는 용액에 침지시켜 졸-겔 공정을 통해 상기 반도체 로드의 측면을 둘러싸는 절연막을 형성하는 단계, 및 상기 절연막이 형성된 상기 반도체 로드들을 상기 베이스 기판에서 분리하여 복수의 발광 소자들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 발광 소자는 외부 양자 효율이 20.2±0.6%이다.