CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

• Main Authors: OH MIN JAE, JEON HYUN UK, ROH JI HUN, LEE JAE CHUL, PARK BYUNG SUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.07.2023
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A chemical vapor deposition apparatus may comprise: a chamber; an upper showerhead; a lower showerhead; a carrier ring; and a heater array. The chamber may accommodate a semiconductor substrate. The upper showerhead may be disposed in an upper region inside the chamber to supply non-reactive gas to the upper surface of the semiconductor substrate. The lower showerhead may be disposed below the upper showerhead to supply reactive gas for forming a film on the lower surface of the semiconductor substrate to the lower surface of the semiconductor substrate. The carrier ring may be disposed between the upper showerhead and the lower showerhead to support the semiconductor substrate. The heater array may be disposed between the upper showerhead and the carrier ring. The heater array may locally heat the film to impart an anisotropic thickness corresponding to an anisotropic warp of the semiconductor substrate to the film. Therefore, a film having anisotropic thicknesses can compensate for the anisotropic warp of the semiconductor substrate. 화학 기상 증착 장치는 챔버, 상부 샤워헤드, 하부 샤워헤드, 캐리어 링 및 히터 어레이를 포함할 수 있다. 상기 챔버는 반도체 기판을 수용할 수 있다. 상기 상부 샤워헤드는 상기 챔버 내부의 상부 영역에 배치되어 상기 반도체 기판의 상부면으로 비반응 가스를 공급할 수 있다. 상기 하부 샤워헤드는 상기 상부 샤워헤드의 하부에 배치되어 상기 반도체 기판의 하부면에 막을 형성하기 위한 반응 가스를 상기 반도체 기판의 하부면으로 반응 가스를 공급할 수 있다. 상기 캐리어 링은 상기 상부 샤워헤드와 상기 하부 샤워헤드 사이에 배치되어 상기 반도체 기판을 지지할 수 있다. 상기 히터 어레이는 상기 상부 샤워헤드와 상기 캐리어 링 사이에 배치될 수 있다. 상기 히터 어레이는 상기 막을 국부적으로 가열하여, 상기 반도체 기판의 비등방적 휨과 대응하는 비등방적 두께를 상기 막에 부여할 수 있다. 따라서, 비등방적 두께들을 갖는 막이 반도체 기판의 비등방적 휨을 보상할 수 있다.