PLASMA CONTROL APPARATUS AND PLASMA PROCESSING SYSTEM

• Main Authors: KIM NAM KYUN, LEE KYUNG MIN, KOH SI YOUNG, LIM SUNG YONG, KIM SUNG YEOL, SHIM SEUNG BO, JIN HA DONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.07.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

A plasma control device comprises: a plasma electrode disposed in a plasma chamber and supplied with RF power having at least one first frequency for plasma generation; an edge electrode disposed around the plasma electrode to correspond to a plasma edge area; and a plasma control circuit electrically connected to the edge electrode and control, in the plasma edge boundary area, the electrical boundary conditions of the first frequency component, the harmonic component generated by the nonlinearity of the plasma, and the intermodulation frequency components generated by the frequency component in the plasma chamber and each of the first frequency component and the harmonic component. The plasma control circuit controls standing waves within the plasma chamber by changing the electrical boundary conditions. The object of the present invention is to provide a plasma control device to provide improved plasma uniformity within a plasma chamber. 플라즈마 제어 장치는, 플라즈마 챔버 내에 배치되며 플라즈마 생성을 위하여 적어도 하나의 제1 주파수를 갖는 RF 파워가 공급되는 플라즈마 전극, 상기 플라즈마 전극 둘레에서 플라즈마 에지 영역에 대응하도록 배치되는 에지 전극, 및 상기 에지 전극에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 주파수 성분, 플라즈마의 비선형성에 의해 발생된 고조파 성분, 및 상기 플라즈마 챔버 내의 주파수 성분과 각각의 상기 제1 주파수 성분과 상기 고조파 성분에 의해 발생된 상호변조 주파수 성분들의 상기 플라즈마 에지 경계 영역에서의 전기적 경계 조건을 제어하기 위한 플라즈마 제어 회로를 포함한다. 상기 플라즈마 제어 회로는 상기 전기적 경계 조건을 변경하여 상기 플라즈마 챔버 내의 정상파를 제어한다