QUANTUM DOT DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

• Main Authors: SEO, HONG KYU, JANG, HYO SOOK, JANG, EUN JOO, CHA, SOON MIN, PARK, KUN SU, KIM, KWANG HEE, CHUNG, YOU JUNG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 04.07.2023
• Subjects: ELECTRICITY

The present invention relates to a quantum dot device to provide improved performance and an electronic device. According to the present invention, the quantum dot device comprises: a first electrode and a second electrode; a light emitting layer located between the first electrode and the second electrode and including quantum dots; a first electronic auxiliary layer located between the second electrode and the light emitting layer to be close to the light-emitting layer and including: a first electronic auxiliary material; a second electronic auxiliary layer located between the second electrode and the light emitting layer to be close to the second electrode and including a second electronic auxiliary material; and an insertion layer located between the first electron auxiliary layer and the second electron auxiliary layer and including an inorganic material. The highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level of the inorganic material is deeper than that of each of the first electronic auxiliary material and the second electronic auxiliary material. 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 양자점을 포함하는 발광층, 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에서 상기 발광층에 가깝게 위치하고 제1 전자 보조 물질을 포함하는 제1 전자 보조층, 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에서 상기 제2 전극에 가깝게 위치하고 제2 전자 보조 물질을 포함하는 제2 전자 보조층, 그리고 상기 제1 전자 보조층과 상기 제2 전자 보조층 사이에 위치하고 무기물을 포함하는 삽입층을 포함하고, 상기 무기물의 HOMO 에너지 준위는 상기 제1 전자 보조 물질의 HOMO 에너지 준위와 상기 제2 전자 보조 물질의 HOMO 에너지 준위보다 각각 깊은 양자점 소자 및 전자 장치에 관한 것이다.